Samsung 970 PRO e 970 EVO, Prestazioni Super!
Samsung ha annunciato la terza generazione dei suoi SSD NVMe di fascia alta. I 970 PRO e 970 EVO rappresentano il nuovo punto di riferimento del settore, considerati i notevoli miglioramenti rispetto ai precedenti 960 PRO e 960 EVO sia in termini di prestazioni che dal punto di vista dell’affidabilità. In totale saranno disponibili sei capacità a partite dal 7 maggio.
Gli SSD NVMe Samsung 970 Evo e 970 Pro di nuova generazione sono ufficiali. Le velocità dichiarate da Samsung sono: 3.500 e 2.700 MB/s in lettura e scrittura sequenziale per il Pro, mentre 3.500 e 2.500 MB/s per l'EVO. Gli IOPS dell'EVO arrivano a 500.000 in lettura casuale e 480.000 in scrittura casuale nel modello più capiente, mentre per il PRO sono 500.000 e 500.000. Entrambi i modelli usano il nuovo controller Samsung Phoenix. Le memorie del PRO sono MLC, mentre quelle dell'EVO sono TLC.
A grandi linee, in entrambi i casi il guadagno prestazionale rispetto alla precedente generazione è del 30 per cento circa, grazie anche alla nuova memoria flash 3D-NAND a 64 strati, anche se il valore reale varia molto in base ai parametri e alle capacità. Le differenze tra i due modelli non sono invece molto significative: molti valori sono uguali, in caso contrario il vantaggio massimo dei PRO è dell'11 per cento. Unica eccezione è la scrittura sequenziale, dato che i PRO non usano la cache SLC e quindi possono mantenere le velocità di punta più a lungo. Sempre per lo stesso motivo, i PRO hanno anche una marcia in più per la durata: hanno un valore di DWPD (Drive Write Per Day) di 0,6 contro gli 0,3 degli EVO.
I nuovi SSD NVMe 970 PRO e 970 EVO in formato M.2 2280 di Samsung sono più veloci e più affidabili della precedente generazione 960 PRO e 960 EVO.
970 EVO | 970 PRO | |||||
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Capacità | 250 GB | 500 GB | 1 TB | 2 TB | 512 GB | 1 TB |
Interfaccia | PCIe x4 - NVMe 1.3 | |||||
Formato | M.2 2280 | |||||
Controller | Samsung Phoenix | |||||
Chip NAND | 3D TLC 64 strati da 256 Gb | 3D TLC 64 strati da 512 Gb | V-NAND3D MLC 64 strati | |||
RAM (LPDDR4) | 512MB | 1GB | 2GB | 512MB | 1GB | |
Cache SLC (dinamica/dedicata) |
4/9 GB | 4/18 GB | 6/36 GB | 6/72 GB | - | - |
Lettura sequenziale | 3.400 MB/s | 3.500 MB/s | ||||
Scrittura seq (SLC) | 1.500 MB/s | 2.300 MB/s | 2.500 MB/s | - | - | |
Scrittura seq (TLC) | 300 MB/s | 600 MB/s | 1200 MB/s | 1250 MB/s | 2300 MB/s | 2700 MB/s |
Lett. random 4 KB QD1 |
15k IOPS | |||||
Lett. random 4 KB QD128 |
200k IOPS | 370k IOPS | 500k IOPS | 370k IOPS | 500k IOPS | |
Scritt. random 4 KB QD1 |
50k IOPS | 55k IOPS | ||||
Scritt. random 4 KB QD128 |
350k IOPS | 450k IOPS | 480k IOPS | 500k IOPS | ||
Consumo (r/w) | 5,4/4,2 W | 5,7/5,8 W | 6/6 W | 5,2/5,2 W | 5,2/5,7 W | |
Consumo idle (APST/PCIe L1.2) |
30/5 mW | |||||
Resistenza scrittura | 150 TB | 300 TB | 600 TB | 1200 TB | 600 TB | 1200 TB |
Garanzia | 5 anni | |||||
Listino | 119,99$ | 229,99$ | 449,99$ | 849,99$ | 329,99$ | 629,99$ |